三星电子公司本周一宣布将推出目前体积最小的2Gb DDR3模块的样本，这种芯片将主要用于制造计算机内存芯片。

通过50纳米电路技术，用户不需要线路就可以组件就可以使用用于RIMM的8GB内存芯片或者RIMM。这项技术还可以让用户使用SODIMM的4GB内存芯片或者SODIMM、UDIMM或者UIMM。除此之外2-Gb DDR3 RIMM还通过采用双晶片套装可以面向16GB技术使用。

DDR3是SDRAM的一部分，是DDR2的升级技术。SDRAM技术可以被用户计算机或者其他数码电子设备工作数据的高速存储。

三星半导体内存部门副总裁Jim Elliott表示，在开发最新的2Gb模块时，三星“专注于最大程度上提高密度和能源节约，让我们的2Gb DDR3解决方案尽可能对设计者具有更高的灵活性。”

这款新的芯片另外还有一个配置了两个1Gb内存的版本。内存较大的模块可以被用户开发比双芯片产品节能至少40%的内存芯片。2Gb设备在1.5伏或者1.35伏电压下支持1.3 Gbps的数据传输率，是800-Mbps 1Gb双晶片套装的1.6倍。除此之外，DDR3数量的减少降低了热量的散发。

三星计划明年将50纳米工艺制程作为其DRAM晶圆技术的主要技术。三星公司计划在今年年底前开始这款最新芯片的量产，50纳米的1-Gb DDR2模块将从明年4月开始量产。

市场调研机构IDC预计，到2011年DDR3在出货量份额将从29%增长到72%，2Gb设备出货量份额将从3%增长到将近33%。