NAND闪存工厂推迟,产量提升速度放慢

ZDNet 存储时代频道 更新时间:2008-02-28 作者: 来源:

本文关键词:闪存 NAND

NAND闪存市场增速放缓的又一个迹象:厂商正在推迟兴建新的闪存工厂,或者放慢闪存工厂的产量提升速度。日前东芝(Toshiba)和SanDisk宣布将在日本兴建人们期待很久的Fab 5工厂。据这两家公司,该工厂将生产NAND闪存,预计2010年投产。

American Technology Research Inc.的分析师Doug Freedman在一份报告中表示:“我们相信,多数投资者曾预期Fab 5工厂将在2009年开始投产,现在投产日期推迟,可能有利于NAND市场的供需平稳。”

“由于IMFT提高产量(尽管我们相信在新加坡慢于预期)、三星(Samsung)和海力士(Hynix)半导体为了争夺市场份额而增产,以及密度出货情况继续低于我们的预期,供应面(过剩)仍然令人担忧,”他表示,IMFT指的是英特尔(Intel)与美光(Micron)的闪存合资企业IM Flash Technologies LLC。

也有一些好消息。他说:“需求方面有所改善,SSD的接受情况更加接近可观的规模,而且苹果(Apple)在没有提价的情况下把每部产品的闪存含量扩大了一倍。”

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