据南韩政府表示，内存大厂海力士（Hynix）与三星电子（Samsung Electrics）已决定共同开发下一代内存芯片，并联合投入90亿美元，至于南韩政府，亦将投入525.8亿韩圆，在2011年以前研发磁性随机内存（STT-MRAM）及多种非挥发内存，这2家公司可望于2012年抢下非挥发内存40％的市占率。事实上，其竞争对手东芝（Toshiba）、富士通（Fujitsu）、NEC早已宣示将于2006∼2010投资30亿日圆研发STT-MRAM下一代内存芯片，如今南韩此举似乎志在取得关键专利技术，免得往后必须支付权利金给其它业者。