MRAM全称为Magnetoresistive Random Access Memory（磁性随机访问存储器），被认为是下一代的存储器，与SRAM相比，MRAM具有非易失性，而且功耗仅为前者的1/2，采用MRAM的PC从理论上可以从关机状态瞬间启动并进入桌面。
本次NEC独立开发设计并试制的MRAM容量为1Mbit，每个存储单元由2个晶体管和1个磁阻单元组成，采用独家电路类型，频率达到了250MHz，为以前MRAM主流100MHz的2倍以上。在该频率下运行的波形测试中，完成数据输出的周期仅为3.7ns，完全符合250MHz的要求。
这一速度和LSI（大规模集成电路）形式的SRAM速度相当，接下来NEC将会验证LSI形式的MRAM的实际表现。
NEC 250MHz MRAM内部结构图
时钟频率和输出周期测试对比
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