这款基于54nm工艺的芯片将使海力士的生产效率比60nm级制程要高50%，同时成本更低。该公司采用了“3D晶体管”架构和“W-DPG”（双闸极，Dual Poly Gate）技术，将使漏电率最小化，在减少了功能的同时可有效地进行性能优化。
该技术将会扩展至DDR3 DRAM上，同时，已通过认证的1Gb DDR2和DDR3芯片将会在明年下半年开始量产。该制程将面向于PC内存、Graphic DRAM（图形DRAM）以及Mobile DRAM（移动DRAM）。
海力士54nm 1Gb DDR2 DRAM通过英特尔认证
ZDNet 存储时代频道 更新时间：2007-11-23 作者：存储时代 黄永誉（编译） 来源：
本文关键词：DRAM 1GB DDR2 54nm Hynix
海力士半导体（Hynix Semiconductor）宣布，采用50纳米级制程的1Gb DDR2 DRAM芯片已通过英特尔验证，这也标志着DRAM行业芯片制程首次突破60nm。
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