据Factiva报导，全球第二大半导体厂三星（Samsung）将投注6,798亿韩元（约6.42亿美元）预算，扩增三星位于Giheung现有内存产能，未来新增产能将以生产闪存（Flash）芯片为主。

另据彭博信息引述三星发言人Cho Sung In表示，这项支出已涵括在2004年内存事业资本支出预算4.92兆韩元当中，将作为采购厂房设备之用，而新增产能预计在2005年第三季（Q3）开始投产。

据三星呈交南韩官方数据显示，用于储存手机资料的闪存需求不断增加，三星董事会因而决议扩增闪存现有产能。三星向来为NAND型闪存霸主，在11月间推出One NAND型Flash，试图跨足NOR型Flash市场。